実験設備（含共用設備） Facilities

１．材料合成

真空アーク溶解炉（ボタン溶解炉 5050; 日本特殊機械)

（MRC共用設備）
アルゴン雰囲気中で最大1000Aで金属を加熱・溶解し、合金を鋳造するための溶解炉です。
高温真空管状炉（01VAC-30; フルテック)

真空中で最大1100℃（石英管）まで加熱できる管状炉です。
高温真空管状炉（01VAC-1630; フルテック)

真空中で最大1100℃（石英管）、1550℃（アルミナ管）まで加熱できる管状炉です。
高温管状雰囲気炉（FT-1200R-150; フルテック)

炉内寸法140Φx190L、真空中で最大1100℃（石英管）まで加熱可能な卓上管状炉です。
高真空赤外線ランプ加熱装置（MILA-5000; アドバンス理工)

20mm各程度の試料を雰囲気制御下で急速加熱するために使用します。
ターボ分子・ロータリーポンプ（フルテック)

ロータリーポンプでは真空引きが不十分な場合に使用します。ピラニ・ペニングゲージ一体型です。
ターボ分子・ダイヤフラムポンプ（Pfeiffer Vacuum)

真空炉の真空引きに使用します。
マッフル炉 (TMF-5; トーマス科学機械）

大気中１１００℃までの熱処理に使用します。マグネシウム合金の溶体化／時効処理に使用します。
マッフル炉 (FO200; ヤマト科学）

大気中１１００℃までの熱処理に使用します。
油圧プレス（マイティプレス; 三庄インダストリー）

粉末冶金のための成型体作製に使用します。
小型高温ボックス炉 (FT-101FMW; フルテック）

大気中や不活性ガスフロー中で最大1200℃まで加熱できる小型ボックス炉です。
高温ホットプレート (FT1200-HOT-P; フルテック）

特注で作っていただいた大気中1000℃まで加熱可能なホットプレートです。
3元系RFスパッタリング装置 (特注品; ULVAC/KIK)

同時に３種のターゲットを使用し、金属など導体からＺｒＯ２やＨｆＯ２などの絶縁体に至るまで成膜できます。基板温度は約７００℃まで昇温可能です。
DCスパッタリング装置 (MSP20-MT; 真空デバイス）

DC放電により金属ターゲットをスパッタし、成膜するための装置です。SEM観察における絶縁性試料に対する導電性コーティングにも使えます。
超高温型赤外線単結晶育成装置（FZ-T-12000-X;クリスタルシステム）

真空または雰囲気制御中で浮遊帯溶融（FZ)法により単結晶の成長を行います。3000　Wハロゲンランプ4基による高出力が可能なため、高融点材料にも適用できます。

２．物性評価・材料分析

エネルギー分散型蛍光X線分析装置 (EDXRF)(Epsilon1; Malvern Panalytical)

卓上型のエネルギー分散型蛍光エックス線分光分析装置です。Naより原子番号の大きな元素の定性/定量分析が可能です。リファレンスフリーで金属元素の組成分析に使用します。
酸素・窒素分析装置 (EGMA-820; HORIBA)

（MRC共用設備）
金属中の微量酸素及び窒素の定量分析が可能です。試料の前処理が必要です。チタン合金の分析の場合、カーボンるつぼのほかに２種類のサイズのNiカプセルが必要になります。
５軸X線回折計 (X'PERT-PRO-MRD; Panalytical)

集中法と平行法を切り替えて粉末や多結晶、配向試料や薄膜の解析ができます。1次元半導体検出器により高速測定が可能です。加熱ステージにより雰囲気ガス中で1100℃までの過熱実験が可能です。極点図形測定、薄膜エックス線法、逆空間マッピングにも対応します。
光学顕微鏡 (MM400/LU; ニコン)

測長機能を有し、金属組織の定量解析に使用します。
タブレット型デジタルカメラ・デジタルマイクロメーター付属倒立型金属顕微鏡 (MCB-1; ユニオン光学, AR-TC500N; アースシステム, MC-DMM-02; 栄リサーチ）

大型のバルク状金属を観察できる倒立型金属顕微鏡です。タブレット型デジタルカメラを利用してデジタル撮影が可能です。
デジタル顕微鏡鏡 (DM201Pro; TOMLOV)

TEM試料のセットやイオンミリングにおける表面状態のチェックに使います。
デジタル顕微鏡鏡 (DM602Pro; TOMLOV)

金属表面や研磨面のチェックに使います。
微小硬さ試験機 (HM-102; ミツトヨ)

金属にダイヤモンド圧子を打ちこみ、圧痕の形状から硬さHvを計測するマイクロビッカース硬さ試験機です。
高容量万能試験機 (5484型 ; INSTRON)

（MRC共用設備）
最大荷重150 ｋN、1100℃までの温度で使用可能な万能試験機です。
歪み計測システム

引張試験片を高速カメラにより試験片の変形過程をリアルタイムで撮影し、DIC法により試験片の歪み分布を解析します。
インピーダンス/ゲイン-フェーズ分析器　（SI 1260; Solartron) 高インピーダンスインターフェース (1296; Solartron)

材料の複素インピーダンスプロットにより、抵抗、容量、誘導成分を解析できます。100TΩまでの高インピーダンス測定にも対応しています。
プレシジョンLCRメーター (E4980A；KEYSIGHT))

電流波形と電圧波形の位相差測定と電流・電圧実効値の比を周波数20Hz-2MHz）ごとに計測し、材料のインピーダンスの誘導成分、容量成分、抵抗成分を解析します。
エレクトロメーター (Model6517B；ケースレー)

高絶縁材料においてpAまで測定可能な微小電流計です。
第一原理計算用ワークステーション（HCPS)

Wien2k など第一原理計算に使用します。EELSのシミュレーションなどに使用します。
走査電子顕微鏡 (SEM) （JSM-IT800; JEOL)

（MRC共用設備）
FESEMとしての像観察に加え、SDD, SXES, EBSDの測定ができます。
電解放出型透過電子顕微鏡(FETEM)（JEM-2100F；JEOL）

（MRC共用設備）
TEM, HAADF/LAADF/ BE-STEM観察とSDD検出器による高感度なSTEM-EDS分析ができます。HAADF像ではSiのダンベル像を撮影できます。
透過電子顕微鏡 (TEM)（JEM-2100；JEOL）

（MRC共用設備）
主に転位などの格子欠陥の回折コントラスト観察に使用します。

３．材料加工

帯鋸（汎用バンドソー）（H-550EII; アマダマシナリー）

（MRC共用設備）
マグネシウムやチタンの大型ビレットやインゴットを細断するために使用します。
異周速2段熱間圧延機 (大東製作所)

（MRC共用設備）
300℃まで加熱できる双ロール圧延機です。大型マッフル炉で800-900℃に加熱して、疑似的に熱間圧延が可能です。
金属ラボカッター（MC-122; マルトー）

最大2000 rpmまでの回転速度で大型チタン合金インゴットを切り出すために使用します。200 mmφのダイヤモンドブレードを使用します。自動送り機構付き。
マイクロカッターレプタム (MC-250; マルトー)

最大2000 rpmまでの回転速度で微小なチタン合金試料片を切り出すために使用します。
マイクロカッター　（MC-201N; マルトー）

脆性材料や軟質金属を300rpm以下で切断するために使用する低速結晶切断機です。マグネシウム合金やセラミックス、シリコンの薄片切断に使用します。
ダイヤモンド・セクショニングソー（SC-GS01BA; 栄リサーチ）

ワックスや試料台などをトリミングするために使用する切断機です。
クリスタルカッター(Neo Basic; マルトー)

（MRC共用設備）
ビレットやインゴットをトリミングするために使用する中型結晶切断機です。
自動回転研磨機　（MA-200e；ムサシノ電子）

面出し、粗研磨、精研磨、琢磨を行う研磨装置です。強制駆動搖動ユニットにより均質な研磨が可能です。
自動回転研磨機　（MA-200e；ムサシノ電子）

面出し、粗研磨、精研磨、琢磨を行う研磨装置です。強制駆動搖動ユニットにより均質な研磨が可能です。
自動回転研磨機　（MA-200D；ムサシノ電子）

面出し、粗研磨、精研磨、琢磨を行う研磨装置です。強制駆動搖動ユニットにより均質な研磨が可能です。
振動研磨機（Vibromet2; Buehler)

EBSD測定に使用する最終琢磨装置です。コロイダルシリカを用い、長時間の超音波振動による琢磨を行い、ダメージフリーな鏡面を得るために使用します。
サンプルドライヤー (ムサシノ電子)

研磨試料や洗浄した試料の水分を熱風で吹き飛ばし、急速乾燥するために使います。
ディスクパンチ　（model659; Gatan）

300μm以下の金属薄板から3mmΦのディスクを打ち抜きます。
超音波ディスクカッター　（model601; Gatan）

半導体やセラミックスなどの脆性材料を所定の形状に打ち抜くために使用します。
プチポリッシャー　（POP-111; NTT-AT）

3mmΦのディスクの厚み調整に使用します。
ディスクグラインダー　（model623; Gatan）

3mmΦのディスクを80μm以下の平行平板に加工します。
精密イオンポリッシングシステム　（model691; Gatan）

ディンプルグラインダーで3mmΦのディスクの中心部を薄片化したのち、アルゴンイオンビームでTEM/STEM観察用の薄片を作製します。加工状況をリアルタイムでモニターできます。
クロスセクションポリッシャーハイスループットミリングシステム（CP)　（IB-19530CP+IB-10500HMS; JEOL）

（MRC共用設備）
EBSD観察のためにArSEMイオンビームでSEM試料断面の高速加工が行えます。
トライポッドポリッシャー　（Model590TEM; South Bay Technology）

イオンミリング法を用いずに、試料傾斜を調整しながらTEM観察用のくさび上の薄片を手研磨のみで作製するための治具です。
手研磨用回転研磨機　（Model 900; South Bay Technology）

トライポッドポリッシャーを用いたTEM試料作製に使用します。
小型自動研磨装置　（PM-KG01D; 栄リサーチ）

トライポッドポリッシャーなどを用いたTEM試料の薄片化に使用します。
電解研磨装置 (エコポール; ケミカル山本)

1-2mLの微量電解液で薄片化できる電解研磨装置です。
UVオゾンクリーナー　（引出式; レーザーテクノ）

電顕試料、基板、各種部品・工具の表面クリーニングに使用します。
収束イオンビーム加工装置 (Versa 3D; FEI)

（MRC共用設備）
FE-SEM(SEI,BEI)観察と微細加工ができるダブルビーム型のFIBです。